1.还原氧化型它是将高介电 常数基体(BaTiO)、(Sr, Ba) (Ti, Sn) O3等在还原气氛中还原成半导体，然后在空气中烧银，陶瓷表面被氧化形成薄的绝缘层，薄绝缘层作为介质也可获得大的比体积电容，但由于用这种介质所作的电容器的频率特性不好，可靠性差，限制了它在高频方面的应用。

2.晶界层半导体瓷它是将高介电常数基体 (Ba, Sr) TiO3进行施主掺杂改性并在还原或中性气氛中还原，然后在还原的基体上涂覆金属氧化物并在空气中进行热处理，绝缘氧化物沿晶界扩散，使半导体晶粒表面氧化形成绝缘层。整个陶瓷体的介电常数达800左右，有的高达14000左右，大大提高了比体积电容。用晶界层半导体瓷为介质所制得的电容器称为晶界层电容器。它不仅具有高比体积电容，而且频率特性优异，可用于信讯机上作为数千兆赫的宽频带耦合电容，此外它的电容温度系数小，绝缘电阻高，是性能更好的半导体电容器。此后又发现了性能更稳定、电容温度系数小的SrTiO3系半导体陶瓷电容器。

这类高压陶瓷电容器已广泛应用于电视机、 雷达高压电路及避雷器、断路器等方面，最近还成功地使用于脉冲气体激光装置的电源中，可使设备小型化、高性能化。